دقت بالای نظریه تابعی چگالی برای تعیین خواص اپتوالکترونیکی نانو لایه ها در آزمایشگاه پیشرفته حالت جامد در دانشگاه حکیم سبزواری تایید شد

0

طی انجام پژوهش های سنگین در حوزه های تجربی (Experimentalٍ) و نظری(Theoretical) در طول ۴ سال گذشته در گروه فیزیک حالت جامد در دو حوزه تجربی و نظری در خصوص تعیین خواص اپتوالکترونیکی نانو لایه ها ، این دو بخش مهم از پژوهش(تجربی و نظری)، یکدیگر را تایید کردند و مقاله حاصل از این پژوهش در مجله Optik به چاپ رسید.

در بخش نظری این پژوهش،  خواص اپتوالکترونیکی نانو لایه ها به کمک نظریه تابعی چگالی و با تقریب mBJ و با نرم افزار Wien2k ، شبیه سازی شدند ودر بخش تجربی این پژوهش نانولایه ترکیبات اکسید ایندیم و اثر افزودنی لانتانیم بر آن به کمک دستگاه اسپری پایرولیز واقع در آزمایشگاه پیشرفته حالت جامد واقع در دانشگاه حکیم سبزواری ساخته شدند.

شایان ذکر است که تمام مراحل ساخت نمونه و آزمایشات بطور تجربی و همچنین شبیه سازی این نمونه ها بطور نظری در دانشگاه حکیم سبزواری توسط دکترحسین اصغر رهنما عضو هیئت علمی و دانشیارگروه فیزیک حالت جامد انجام شده است.

 گفتنی است مقاله چاپ شده تحت عنوان:

Theoretical and experimental studies of La- substituted In2O3 nano- layer via the modified Becke Johnson (mBJ) potential

می باشد.

 این مقاله، هشت و سومین مقاله ISI چاپ شده دکتر رهنما در سری مجلات JCR است.

 

نظر خود را بیان کنید

کد امنیتی *